5月22日，南昌大學與頂立科技聯(lián)合培養(yǎng)的首屆專業(yè)碩士研究生學位論文答辯在頂立科技舉行，因疫情原因，答辯采取線上、線下結(jié)合方式進行。

參加此次學位論文答辯的王卓健、劉興亮、朱晨光三位學生均是南昌大學物理與材料學院與頂立科技聯(lián)合培養(yǎng)的2019級專業(yè)碩士研究生，答辯委員會由國防科技大學原陶瓷纖維及其復合材料國防科技重點實驗室研究生導師王思青研究員、南昌大學物理與材料學院副院長譚敦強教授、博士生導師章愛生教授、碩士生導師徐一副教授、頂立科技技術(shù)中心主任王艷艷高工組成。戴煜教授課題組的13名博士生與碩士生均在主會場和線上聆聽答辯。

南昌大學是國家“雙一流”計劃世界一流學科建設(shè)高校、國家“211工程”重點建設(shè)高校，其材料科學與工程學科是世界一流學科建設(shè)點，擁有一級學科博士點、博士后流動站和“材料物理與化學”國家重點學科。南昌大學副校長江風益院士團隊的“硅襯底高光效GaN基藍色發(fā)光二極管”項目獲得2015年度唯一國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎，助推江西打造“南昌光谷”。

頂立科技擁有“全國博士后科研工作站”、“湖南省工程實驗室”、“湖南省新型熱工裝備工程技術(shù)研究中心”等創(chuàng)新平臺。具有豐富的智能化沉積熱工裝備研制經(jīng)驗，其自主研發(fā)的多元耦合物理場沉積設(shè)備成功應(yīng)用于快速沉積GaN單晶生長用第三代半導體SiC，同時在大尺寸復雜構(gòu)件上快速沉積SiC方面經(jīng)驗豐富。

三位碩士研究生的學位論文工作分別涉及第三代半導體GaN單晶生長所需的SiC涂層制備、第三代半導體SiC單晶生長所需的TaC涂層制備、TiB2/7055鋁合金復合材料的制備，所有論文均實驗工作量大，依托頂立科技的科研和生產(chǎn)平臺完成。論文工作不僅具有一定的創(chuàng)新性，也切合國家戰(zhàn)略需求和地方優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要，并結(jié)合了南昌大學和頂立科技優(yōu)勢學科和優(yōu)勢方向，同時促進了頂立科技SiC、TaC涂層及TiB2/7055鋁合金復合材料的研發(fā)。答辯委員會在聽取三位學員論文內(nèi)容匯報后，通過質(zhì)詢、討論并經(jīng)投票，一致同意其通過論文答辯，并建議授予工程碩士學位。

此次南昌大學與頂立科技通過校企合作聯(lián)合培養(yǎng)研究生，實現(xiàn)了校企資源優(yōu)化共享，打造了人才培養(yǎng)雙向新平臺，助力了產(chǎn)學研的深度融合，相關(guān)研究成果為GaN單晶生長用第三代半導體SiC的產(chǎn)業(yè)化打下了基礎(chǔ)，對助力湖南省“三高四新”戰(zhàn)略實施具有一定意義。