一、C_f/SiC復(fù)合材料的特點

C_f/SiC復(fù)合材料是指由碳纖維作為增強(qiáng)體，碳化硅作為連續(xù)基體的一類新型復(fù)合材料。C_f/SiC復(fù)合材料不僅具有高性能陶瓷的高強(qiáng)度、高模量、高硬度、耐沖擊、抗氧化、耐高溫、耐酸堿、熱膨脹系數(shù)小、比重輕等優(yōu)點，同時還克服了一般陶瓷材料的脆性大、功能單一等缺點，是公認(rèn)的理想高溫結(jié)構(gòu)材料和摩擦材料之一。

二、C_f/SiC復(fù)合材料的主要應(yīng)用

1. 航空航天領(lǐng)域：

- 航空器件構(gòu)件：包括機(jī)翼、機(jī)身、尾翼等，能夠提供高強(qiáng)度、輕量化和耐久性能。

- 發(fā)動機(jī)部件：如渦輪葉片、噴口導(dǎo)向葉片等，要求具備高溫、高壓和抗腐蝕能力。

- 航天器零部件：如熱防護(hù)層、結(jié)構(gòu)件等，能夠在極端的高溫和高速環(huán)境中保持結(jié)構(gòu)完整。

2. 汽車工業(yè)：

- 車身結(jié)構(gòu)：使用Cf/SiC復(fù)合材料可以降低車身重量，提高車輛的燃油效率和操控性能。

- 剎車系統(tǒng)：由于Cf/SiC復(fù)合材料具有優(yōu)異的耐熱性和耐磨性，可以提供更好的剎車性能和耐久性。

- 排氣系統(tǒng)：Cf/SiC復(fù)合材料能承受高溫和高壓，廣泛應(yīng)用于制造高性能排氣管。

3. 能源領(lǐng)域：

- 燃?xì)鉁u輪發(fā)電機(jī)：用于制造渦輪葉片，以提高發(fā)電機(jī)的效率和耐久性。

三、C_f/SiC復(fù)合材料的制備方法

目前，C_f/SiC復(fù)合材料的制備方法主要包括如下幾種：

1、化學(xué)氣相滲透沉積法（CVI）：該方法是在高溫下通過硅有機(jī)物裂解產(chǎn)生的氣體沉積到預(yù)制體內(nèi)部形成C_f/SiC復(fù)合材料，其缺點是制備周期長，沉積陶瓷基體均勻性差，制備成本高。

2、先驅(qū)體浸漬裂解法（PIP）：該方法是采用聚合物硅烷作為先驅(qū)體浸漬到多孔的纖維預(yù)制體中然后高溫裂解原位生成陶瓷基體，經(jīng)過多次處理最終得到C_f/SiC復(fù)合材料，其缺點是制備周期長，碳化硅在纖維上的附著力較差導(dǎo)致摩擦磨損過程中磨耗大。

3、熔融滲硅法（LSI）：該方法是在高溫下將硅粉熔融，通過毛細(xì)作用滲透到碳纖維預(yù)制體中，然后與碳預(yù)制體中的熱解碳反應(yīng)生成碳化硅最終得到C_f/SiC復(fù)合材料。該方法簡單、快捷、成本較低，但存在著碳化硅顆粒粗大且分布不均勻，熔體硅不但與沉積碳反應(yīng)也與碳纖維反應(yīng)導(dǎo)致材料整體力學(xué)性能下降，且多余的硅影響C_f/SiC復(fù)合材料的穩(wěn)定性和高溫性能等缺點。

四、C_f/SiC復(fù)合材料工藝流程

氣相沉積工藝（CVI/CVD工藝）

氣相沉積+浸漬/裂解工藝（CVI+PIP工藝）

氣相沉積+滲硅工藝（CVI+LSI工藝）

五、C_f/SiC復(fù)合材料制備關(guān)鍵裝備

①　化學(xué)氣相沉積爐（碳CVI界面）

炭界面制備沉積爐主要用于碳纖維、碳化硅纖維及其編織預(yù)制件等的炭界面層制備。

②　化學(xué)氣相沉積爐（碳化硅CVI界面/CVD涂層）

碳化硅CVI/CVD沉積爐主要用于碳纖維、碳化硅纖維及其編織預(yù)制件等的碳化硅界面層/滲透增密制備。

③　真空壓力浸漬固化爐（PCS浸漬）

真空壓力浸漬爐主要用于碳基、陶瓷基復(fù)合材料浸漬瀝青、樹脂、聚碳硅烷等材料的壓力浸漬工藝。

④　真空裂解爐（PCS裂解）

真空裂解爐主要用于碳陶復(fù)合材料、陶瓷基復(fù)合材料、碳化硅纖維的高溫裂解工藝。

⑤　熔融滲硅爐(滲硅)

熔融滲硅爐主要用于碳碳復(fù)合材料、陶瓷基復(fù)合材料的液相滲硅陶瓷化處理。

六、頂立科技Cf/SiC復(fù)合材料熱工裝備技術(shù)特征

1. 1采用多溫區(qū)獨立控溫，溫度均勻性好；

2. 2采用智能壓力調(diào)控，沉積壓力波動小；

3. 3采用頂立科技專屬超高溫、大電流引電技術(shù)，能在高溫條件下長時間穩(wěn)定使用，也可采用感應(yīng)加熱方式； 

4. 4采用全封閉沉積室/馬弗室，密封效果好，抗污染能力強(qiáng)； 

5. 5采用多通道工藝氣路，流場均勻，無沉積死角，沉積效果好； 

6. 6采用多級高效尾氣處理系統(tǒng)，環(huán)境友好，易清理。